半導体の微細化技術

はじめに

半導体デバイスの微細化技術をレビューする．

(内山貴之, 2015) より．

1 EUV リトグラフィ

極端紫外線リソグラフィ (Extreme Ultraviolet Lithography) は波長 13.5 nm で露光する技術である．

オランダの ASML 社が唯一 EUV 露光装置を製造している．

China asks Netherlands, with world-leading chipmaking equipment, to not decouple

ここまで短い波長では光を透過するレンズはなく，反射鏡で光学系を構成する必要がある．13.5 nm という波長はミラーの反射率の極大点の１つをとって決定された． \(0.68^{12}=0.98\) というように重ねて用いる．

(内山貴之, 2015)　より．

References

内山貴之. (2015). 半導体向けEUVリソグラフィの現状と展望. 東芝. Retrieved from https://www.heas.jp/lecture/files/uchiyama.pdf